嘲笑(e)EGaIn 3D微流体通道嵌入的水凝胶用作压力传感器。樊胜(ii)显示滞后和整流的J-V特性。美的心(a)EGaIn纳米医药进入细胞后在低PH下药物加速释放过程示意图。
嘲笑(a)双功能单二极管-单电阻器分子记忆的证明:(i)带有methylviologen端基的烷基硫醇在正偏压和负偏压下的分子结。樊胜(b)EGaIn微流体通道包裹在PDMS中组成的可变形线圈天线。
基于前期的研究成果,美的心南开大学向东课题组和Twente大学ChristianA.Nijhuis课题组对EGaIn的独特性质,美的心EGaIn器件的工作原理和相关技术的发展进行了系统性综述。
嘲笑(f)声波操控液态金属胶体纳米棒的移动示意图。随后研究表明KNSN3具有良好的循环稳定性和热稳定性,樊胜与PZT-4相当,优于PZT-5H陶瓷。
研究表明,美的心导致超高电应变的基本机制是缺陷偶极子和域切换之间的相互作用。目前压电陶瓷中最高的电场感应应变为1.3%,嘲笑由含铅材料(Bi,La)FeO3-PbTiO3在80kV/cm的高电场下驱动。
因此,樊胜急需开发具有简单组成、低成本、易于加工和高电应变性能的无铅压电致动器。考虑到环境问题,美的心目前已做出大量努力寻找无铅替代品。